2.4μm：逼近物理極點，重塑彩色顯示性能底線

在Micro LED微顯示體系中，像素間距(Pixel Pitch)是決定性能上限的核心變量之一，也是所有顯示性能釋放的起點。

鴻石智能選擇2.4μm作為云錦平臺的起點，并非單純追求尺寸縮小，而是基于對光學(xué)衍射極限與光子激發(fā)效率之間平衡關(guān)系的深入理解。2.4μm是微縮工藝在跨越波長衍射極限與保持光子激發(fā)效率之間的“物理平衡原點”。低于此點，亞微米級的物理挑戰(zhàn)將導(dǎo)致光效斷崖式下跌;而鴻石通過技術(shù)攻關(guān)，恰恰是在緊貼物理懸崖的邊緣，鎖定了這個性能極點。

從3.75μm跨越至2.4μm，帶來了一系列連鎖性能提升：

·10583 PPI像素密度：實現(xiàn)萬級像素陣列，大幅降低畫面顆粒感，提升沉浸體驗;

·紅色發(fā)光效率突破：在極小尺寸下攻克紅光效率難題，外量子效率(EQE)超過5%，實現(xiàn)更均衡的全彩顯示;

·32 PPD角分辨率：將高PPI轉(zhuǎn)化為接近人眼極限的視覺清晰度;

·MTF > 0.6：在高空間頻率下保持優(yōu)異調(diào)制傳遞函數(shù)表現(xiàn)，使高密度像素真正轉(zhuǎn)化為清晰銳利的成像質(zhì)量;

·VGA(640×480)分辨率：滿足AI多模態(tài)交互場景對信息承載能力的基本要求，為AR設(shè)備成為“個人AI入口”提供顯示基礎(chǔ);

·0.16cc體積：將上述性能集成于極小空間內(nèi)，實現(xiàn)目前全球最小VGA彩色MicroLED光機(jī)，兼顧性能與佩戴舒適性。

HB²混合鍵合：邁入2.4μm時代的關(guān)鍵技術(shù)支點

當(dāng)像素尺寸進(jìn)入2.4μm區(qū)間，傳統(tǒng)微觸點工藝逐漸逼近物理極限，短路風(fēng)險、功耗上升與散熱瓶頸等問題愈發(fā)突出。

針對這一挑戰(zhàn)，鴻石智能提出HB²(Hongshi base × Hybrid Bonding，鴻石基座混合鍵合技術(shù))混合鍵合技術(shù)，通過銅-銅原子級直接鍵合，實現(xiàn)驅(qū)動電路與Micro LED發(fā)光陣列的深度嵌合。

圖1

相較傳統(tǒng)互連方式，HB²不僅減少結(jié)構(gòu)占用空間，還具備更低電阻與更優(yōu)散熱性能，從而支撐10583 PPI所帶來的超高帶寬信號傳輸需求。可以說，在HB²的支撐下，2.4μm從實驗室概念走向工程化落地成為可能。

超表面(metasurface)：從光路設(shè)計走向光場編程

在完成電學(xué)與結(jié)構(gòu)集成的同時，鴻石智能在光學(xué)層面引入超表面(metasurface)技術(shù)，對傳統(tǒng)光學(xué)路徑進(jìn)行重構(gòu)。該技術(shù)通過對光場進(jìn)行的“數(shù)字化編程”實現(xiàn)光的方向性的深度調(diào)制，極大提高了外量子效率(EQE)，進(jìn)而提升整體出光效率。其核心價值體現(xiàn)在：

納米尺度操控：通過在亞波長尺度上排列成千上萬個微納結(jié)構(gòu)單元，實現(xiàn)了對光波相位、振幅、偏振及傳播方向的精準(zhǔn)調(diào)控。

光路重構(gòu)：這種“編程”能力可以自由引導(dǎo)每一束光的走向，將MicroLED每一個像素散發(fā)的光能精準(zhǔn)匯聚、耦合，在極小空間內(nèi)爆發(fā)出驚人的光效表現(xiàn)。

系統(tǒng)級增益：超表面技術(shù)讓光學(xué)模組徹底告別了厚重的鏡片堆疊，它是實現(xiàn)0.16cc 極小體積與高亮度顯示平衡的關(guān)鍵。

據(jù)稱，鴻石智能是全球首家將超表面技術(shù)帶向Micro LED微顯示前沿的公司。在該技術(shù)加持下，云錦平臺實現(xiàn)了0.16cc體積與高亮度輸出之間的平衡。同時，超表面也被視為未來實現(xiàn)高保真3D顯示的重要基礎(chǔ)技術(shù)。

畫質(zhì)引擎算法：釋放硬件潛能的關(guān)鍵一環(huán)

在硬件性能持續(xù)提升的同時，鴻石智能強(qiáng)調(diào)系統(tǒng)級協(xié)同的重要性，并為云錦平臺配套自研畫質(zhì)引擎算法。

該算法針對彩色Micro LED發(fā)光特性進(jìn)行像素級的優(yōu)化，通過增益調(diào)節(jié)與色彩補(bǔ)償，不僅彌補(bǔ)微型化帶來的物理限制，還進(jìn)一步強(qiáng)化顯示效果，使10583 PPI的優(yōu)勢能夠轉(zhuǎn)化為肉眼可感知的畫質(zhì)提升。

在HB²低阻抗架構(gòu)與算法協(xié)同作用下，云錦平臺典型功耗控制在90mW，實現(xiàn)高性能與低功耗之間的平衡。這也意味著，即使在高負(fù)載運(yùn)行狀態(tài)下，系統(tǒng)仍能保持較高能效表現(xiàn)。

此外，HB²與超表面技術(shù)并非僅服務(wù)于云錦平臺，而是已成為鴻石智能全線產(chǎn)品的底層技術(shù)能力，推動整體產(chǎn)品體系的持續(xù)升級。

結(jié)語：Micro LED邁入系統(tǒng)級競爭階段

“云錦”平臺的發(fā)布，標(biāo)志著Micro LED微顯示技術(shù)的競爭邏輯正在發(fā)生變化——從單一指標(biāo)比拼，轉(zhuǎn)向顯示、光學(xué)與算法協(xié)同優(yōu)化的系統(tǒng)級競爭。

對于AR終端而言，這一平臺不僅帶來更高分辨率與更優(yōu)畫質(zhì)，同時也為設(shè)備輕量化設(shè)計提供支持：2.4μm像素與HB²技術(shù)提升顯示能力，0.16cc體積與超表面技術(shù)則推動產(chǎn)品形態(tài)進(jìn)一步優(yōu)化。

從3.75μm到2.4μm，鴻石智能持續(xù)推進(jìn)像素微縮進(jìn)程。在逼近物理極限的過程中，其也在不斷重塑Micro LED微顯示的性能邊界與應(yīng)用可能性。

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